ARM9 學習筆記

ID:60076 · 發表于 2014-4-21 16:08

我使用的開發板是TQ2440，芯片S3C2440
2012年12月23日22:36:43
這幾天對ARM有關地址方面疑惑很不少，隨著不停地搜索資料和看視頻教程，總算有點思路，現整理如下，若路過人看到有錯誤之處，歡迎提出修正，本人感激不盡。
1.用DNW燒寫裸機程序時，DNW軟件上的download address是指下載到內存上某處位置（我認為是SDRAM，具體還得看u-boot即bootloader的源代碼，我目前還沒研究到那）的地址，下載到那里后，由u-boot里的另外一個命令（nand write）將這些下載過來的數據拷貝到這些數據“應該”處于的位置，如下載運行在nand flash的u-root，會被拷貝到nand flash的0地址處。
2.u-boot中的mtd命令可以查看由u-boot為了方便燒寫數據而在nand flash上劃分的分區
3. J-Link不能燒寫nand flash。
4.在ARM9里面，訪問SDRAM的地址，是由SDRAM的容量大小和地址線的接法決定的，具體在ARM9的官方數據手冊上有表格描述。
接128M的SDRAM的話，內存的開始地址是0x3000 0000。
5.SDRAM類似內存，因此常在網上的各高手們寫的教程資料中被稱為內存。使用前需要初始化。
網上有這么一段敘述：
nand flash：適合大容量數據存儲，類似硬盤；
nor flash：適合小容量的程序或數據存儲，類似小硬盤；
sdram：主要用于程序執行時的程序存儲、執行或計算，類似內存。
區別：
nor flash：可以直接執行指令，讀取速度較快，寫入不太方便，擦除速度較慢。
nand flash：讀取速度比nor flash略快，但寫入、擦除都較快。但可靠性略低，需要做損耗平衡、數據校驗等。
因此：nor適合做程序存儲，nand適合做大容量數據存儲。二者都可以掉電保存數據/程序。
sdram：掉電后數據不保存，運行時需要動態刷新，但讀取速度都比flash快，適合啟動后的程序執行。使用前需要初始化。
6.S3C2440A采用的是ARM920T的核心。
7.SRAM：靜態隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做CPU啟動時用的。
8.在編程軟件中，常提到RO，RW的設置。RO是指read only ，一般設置為Flash起始地址，對于ARM，都是0x0的。RW是read and write，指RAM地址，一般設置為內部SRAM起始地址，默認跟在RO后面

2012年12月26日18:28:14
困擾了兩天，想用keil arm 來開發和調試ARM裸機程序，但總是下載不了，調試有時也不行，原來還有一個問題我沒理解。
就是需要設置一個的正確燒寫nor flash。但是不是選擇里面原有的S3C2440 Nand flash SP，這個錯誤我一直沒發現。。。而是選擇與TQ2440開發板使用的nor Flash相近的算法，不過這個算法說是不能擦除。不過沒關系，可以用JFlash ARM來擦除。
是這兩篇文檔解救了我，也使我更加了解ARM。哈哈！謝謝兩位作者。我現在可以調試和燒寫裸奔程序了。~~~高興！
http://www.docin.com/p-307947458.html
http://wenku.baidu.com/view/854e ... ?from=rec&pos=3

不過也反映了一個問題，自學就是這么碰運氣，找到相關資料，再經過自己整理思考才能解決自己遇到的問題，如果是有老師帶的話，或許可以立即解開，但是不夠自己去找資料了解得多，雖然很困難，因為ARM還處于比較領先的科技前沿，相關文檔不如51、ARM多，但會用搜索引擎的關鍵字的話，對我來說成功解決問題的幾率還是比較大的

ID:63747 · 發表于 2014-7-18 17:37

謝謝分享

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