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利用MOS內阻作為電流采樣電阻的過流點計算.png (189.34 KB, 下載次數: 0)
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2025-11-4 11:33 上傳
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WL0123 發表于 2025-11-4 16:03 你利用MOS內阻作為電流采樣電阻確實新穎。不過根據MOS管導通特性,其導通內阻不是恒定值,在不同VGS、結溫 ...
wjhhhhh 發表于 2025-11-5 13:01 確實新穎 如果從手冊上查到這些參數 或者上電逐個實測不同工況點下各項參數 能不能實現呢?
發表于 2025-11-4 14:21 什么叫做錯在哪里,已經驗證過了話就把實際輸入輸出結果說一下,還有就是你這運放前一個是放大作用后一個是 ...
zhuls 發表于 2025-11-4 14:35 半導體有一個特性就是非線性,你拿它來當采樣電阻,能準嗎?
npn 發表于 2025-11-5 07:33 MOS管溫度越高內阻越大,誤差可能會超過20%
發表于 2025-11-5 11:09 個人看法:從圖看,該是比較器,前級放大再后級比較。其用意是過流監測吧?電流超過一定值,比較器翻轉給MC ...
wufa1986 發表于 2025-11-5 11:56 運放電容不要亂加,C3C2都是是錯誤的
ZSJM 發表于 2025-11-5 15:33 實際使用是有類似的電路, 因為對限流要求精確度不高, 也就+-10%都不是問題. 電池保護芯片就是這樣的.不用精 ...
WL0123 發表于 2025-11-5 15:48 上電逐個實測不同工況點下各項參數編制數據表,編程控制能實現目的,但要求MOS內阻特性一致性好,否則不 ...
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