均流電路增加過流保護電路設計，求助

ID:1073939 · 發表于 2025-8-23 16:59

上圖簡化后的示意圖，想在此圖基礎上增加過流(15A)保護功能。IN電壓范圍6~66V，OUT電壓范圍為0~60V。ADJ調節R114壓降，控制mosfet開度。R110 R134為均流電阻，在7.5A時壓降為0.15V，要想使三極管動作需要疊加0.45V。
下圖為過流保護示意圖，

這圖有個缺陷，執行保護動作用了2個8550，按理應只用1個。假如是多個均流，這缺陷就更明顯了。

設R134壓降為u0
保護管Vbe=Vbe=u0+(2.5-u0)*R2/(R1+R2)=u0+2.5*R2/(R1+R2)-u0*R2/(R1+R2)
暫時忽略u0*R2/(R1+R2)，應能實現。

求助各位，幫我完善這設計，或有類似芯片更好。

ID:332444 · 發表于 2025-8-23 22:02

三極管改為431，三極管輸入阻抗低于431，且431高輸入阻抗則可并歸多路信號，很容易用簡單電阻隔離。

ID:1073939 · 發表于 2025-8-25 09:14

三極管改為431的難點是如何把R134電壓轉換成以ADJ為基準的信號。假如有類似7905現對于7805這類關系的431就好了。

ID:1073939 · 發表于 2025-8-25 15:46

xianfajushi 發表于 2025-8-23 22:02
三極管改為431，三極管輸入阻抗低于431，且431高輸入阻抗則可并歸多路信號，很容易用簡單電阻隔離。

謝謝你的建議。我用pnp管模擬類似的電壓器件，應該能達到要求。

通過可調電阻R2調節各支路過流保護值。過流執行器件由q1 r2 r7構成，各支路共用一套執行器件。
我不會畫仿真圖，求哪位大神抽時間幫忙畫下。
想分析下：
vin和adj在變化時過流保護值是否一致。
IN-3V這個網絡時候可以接到gnd上，省去tl431這部分電路。
電路是否還有隱藏的bug。

ID:332444 · 發表于 2025-8-26 09:14

如果看431內部電路圖，就知道如何變化極性，其內部就是荔枝。

ID:879809 · 發表于 2025-8-26 13:12

BJT Vbe有-2.2mV/K的溫度系數，電流越大越熱，Vbe越小，Ib越大，大電流的管子惡性循環就燒了。所以多管并聯必須給e極加小電阻墊高Vbe。

MOSFET的Rds是正溫度系數的，多管并聯電流會自動平衡，你的第一圖就莫名其妙，后面引申出來的圖就沒有討論價值了。

ID:1073939 · 發表于 2025-8-27 09:13

rundstedt 發表于 2025-8-26 13:12
BJT Vbe有-2.2mV/K的溫度系數，電流越大越熱，Vbe越小，Ib越大，大電流的管子惡性循環就燒了。所以多管并聯 ...

莫名其妙是不是你認為只有bjt才需要均流電阻，mosfet不需要均流電阻？
我知道并認可你提到的知識點，但實際工程中mosfet并聯普遍使用了均流電阻，這其中是否有你我所忽略的知識點。
mosfet要不要均流電阻，這個問題可以另外討論。
本帖討論的是利用現有的均流電阻增加硬件過流保護，彌補軟件保護速度慢的缺陷。

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均流電路增加過流保護電路設計，求助