STM32F10x芯片本身沒有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash來模擬EEPROM。Flash與EEPROM的區(qū)別主要是：一、EEPROM可以按位擦寫，而Flash只能按塊（頁）擦除；二、Flash的擦除壽命約1 萬次，較EEPROM低一個量級。ST網(wǎng)站有個Flash模擬EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源碼和文檔）。范例在保存修改的數(shù)據(jù)時，以寫入新數(shù)據(jù)來替代對原數(shù)據(jù)的修改，并使用兩個頁面輪流寫入，單頁寫滿后進行數(shù)據(jù)遷移，再一次性擦除舊頁面。這個策略可以有效降低Flash擦除次數(shù)。
不過，范例代碼只能保存固定大小的數(shù)據(jù)（16bits），雖然容易改成不同的固定大小，但實際用起來還是很不方便。我改寫了一下，新的特性包括：
- 支持不同大小數(shù)據(jù)（字符數(shù)組、結(jié)構(gòu)體等）的混合存儲；
- 增加對數(shù)據(jù)的校驗和（Checksum）檢查。
附件提供了源碼。使用方法很簡單，比如要保存一個字符數(shù)組 title 和一個 point 結(jié)構(gòu)體：
#include "eeprom.h"
#define TITLE_SIZE 80
#define TITLE_KEY 1
#define POINT_KEY 2
typedef struct {
float x;
float y;
float z;
} Point;
char title[TITLE_SIZE] = "eeprom test string.";
Point point;
執(zhí)行必要的初始化操作后，就可以進行寫入和讀取：
uint16_t result = 0;
/* Unlock the Flash Program Erase controller */
FLASH_Unlock();
/* EEPROM Init */
EE_Init();
/* Write to EEPROM */
result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY, title, TITLE_SIZE);
result = memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY, &point, sizeof(point));
/* Read from EEPROM */
result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(title, TITLE_KEY, TITLE_SIZE);
result = memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point, POINT_KEY, sizeof(point));
實現(xiàn)混合存儲的辦法，是給每個變量附加8字節(jié)的控制信息。因此，在存儲小數(shù)據(jù)時會有較大的空間損耗，而在存儲較大的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)時空間利用率更高（相對于范例）。代碼是針對STM32F103VE的實現(xiàn)。不同芯片需要對應修改頭文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定義：
/**
* EEPROM start address in flash
* As for STM32F103VE (512KB flash), 0x0807F000 is the begining of the last 2 pages.
* Check the *.map file (in listing folder) to find out the used ROM size.
*/
#define EEPROM_START_ADDRESS ((uint32_t)0x0807F000)