首先單片機的內(nèi)存可以大小分為ram和rom，這里就不再解釋ram和rom的區(qū)別了，我們可以將其等效為flash和sram，其中根據(jù)flash和sram的定義可得，flash里面的數(shù)據(jù)掉電可保存，sram中的并不可以，但是sram的執(zhí)行速度要快于flash，可以將單片機的程序分為code(代碼存儲區(qū))、RO-data(只讀數(shù)據(jù)存儲區(qū))、RW-data(讀寫數(shù)據(jù)存儲區(qū))和ZI-data(零初始化數(shù)據(jù)區(qū))。在MDK編譯器下可以觀察到在代碼中這4個量的值，如下圖1所示：

 

圖1：

 

其中code和RO-data存儲在flash中，所以兩者之和為單片機中flash需要分配給它們的空間大小(并且等于代碼所生成的.bin文件大小)，另外RW-data和ZI-data存儲在sram中，同樣兩者之和為單片機中sram需要分配給它們的空間大小。

   另外，我們必然會想到棧區(qū)(stack)、堆區(qū)(heap)、全局區(qū)（靜態(tài)區(qū)）(static)、文字常量區(qū)和程序代碼區(qū)和上面所介紹的code、RO-data等的關(guān)系。

4、文字常量區(qū)：常量字符串就是放在這里的。這些數(shù)據(jù)是只讀的，分配在RO-data(只讀數(shù)據(jù)存儲區(qū))，則被包含在flash中。

5、程序代碼區(qū)：存放函數(shù)體的二進(jìn)制代碼，可以想象也是被包含在flash，因為對于MCU來說，當(dāng)其重新上電，代碼還會繼續(xù)運行，并不會消失，所以存儲在flash中。

 

   綜上所述，MCU的內(nèi)存分配基本如此，其中并沒有提到存儲空間所對應(yīng)的flash和sram地址，這些后面還會講到！如有錯誤，請指正。