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相較于EEPROM而言，SPI Flash的存儲空間簡直就是打開了一個新世界。以W25Q16為例，16Mb也就是2MB的空間，是AT24C08芯片的1KB空間的2048倍，價格也沒有相差很多。同時使用SPI總線可以實現更高的讀寫速度，W25Qxx的SPI總線可以達到80MHz，這是IIC總線望塵莫及的，而且我比較喜歡用的STM32單片機的IIC總線總是讓人那么揪心，所以我一直都是用的軟件模擬IIC，而STM32的SPI則好用得多。但是SPI Flash也屬于是閃存的一種，內部也是由Nand flash或者是Nor flash構成的，Flash存儲結構的毛病就是在寫入之前必須要執行擦除操作，就像STM32單片對自身的Flash空間進行編程的時候需要先擦除一頁然后在寫入數據，SPI Flash也一樣，每次寫入都要先擦除，不像EEPROM一樣方便，想讀哪個讀哪個，想寫哪個寫哪個。并且W25Qxx系列的Flash的數據保存時間是20年，而AT24Cxx系列的EEPROM的數據保存時間為100年，當然我們不指望我們的產品能夠用100年，至少這說明了EEPROM和FLASH各有優勢，但是隨著生活生產中數據量的增加，Flash的優勢變得越來越突出。

由于之后的設計可能會使用SPI Flash代替EEPROM，所以特地用開發板上的W25Q16測試了一下Flash的性能。電路連接示意如下圖：

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2020-3-31 14:45 上傳

W25Qxx系列（W25Q80, W25Q16 andW25Q32）的Flash內部是按照Page、Sector、Block的結構來劃分的，一個Page為256個Byte，一個Sector為16個Page也就是4KB，一個Block為16個Sector也就是64KB。

不像上學那會一樣有時間自己寫驅動代碼了，現在直接拿例程代碼進行修改了�？偟膩碚fW25Qxx系列的Flash的SPI控制邏輯就是：

數據擦除可以以Sector為單位也可以以Block為單位，進行Sector擦除的時候發送0x20命令字，然后跟隨24位的存儲地址，寫入的24位地址應該是會將低12位忽略掉，不過數據手冊上沒有說明。進行Block（64KB）擦除的時候發送0xD8命令字，然后發送24位的地址，芯片內部同樣會忽略低16位地址。擦除之后芯片內所有數據都是0xFF，這是Flash的特性，感興趣的可以查閱資料，這里做個簡單的說明。Flash存儲單元中是無法寫入位1的，只能寫入位0，所以要寫入數據的話要先將原來的數據都擦出成0xFF然后寫入數據的時候遇到bit 1時不做處理，遇到bit 0時寫入0即可。這就是為什么Flash進行寫入之前需要進行擦除的原因。我在W25Q16上做了一個有趣的測試，在不擦除Sector的情況下寫入，發現依然可以寫入，讀出寫入的數據發現新寫入的數據的0會將源數據中的對應位的1覆蓋，但是新寫入的1并不會覆蓋原數據中對應位的0，印證了上面介紹的Flash原理。也就是說如果一個地址處的數據是0xFF，那么這個地址還可以寫入任何數據，否則不可能完整寫入任何數據。

數據寫入的時候只能按照Page來寫入，最多一次只能寫256個字節，也就是一個頁的空間，寫入的時候可以不從頁的開始地址寫入，如果一次寫入字節數溢出了一個頁的空間，那么多出來的會從循環到頁的開始地址處覆蓋原來的數據，數據手冊的10.2.14節說的很明白。頁寫的命令字為0x02，尾隨24位的地址。

有時候我們還需要讀取芯片的ID號，W25Qxx系列Flash有多個ID號，Manufacturer ID、Device ID、Unique ID、JEDEC ID，W25Q16讀取到的Manufacturer ID為0xEF，Device ID為0x14，Unique ID沒讀出來，JEDEC ID沒興趣讀......我感興趣的Unique ID卻沒讀出來，因為這個ID是可以當做程序加密使用的。算了，反正STM32也有唯一標識ID，寫入到FLASH中也可以實現程序加密。

其實使用上面的4個命令就可以正常得使用SPI Flash工作了，其他的很多命令字都用不上。

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